摘要
碳化硅陶瓷作为一种重要的结构陶瓷材料，具有优异的性能，例如：高强度、高硬度、耐磨损、耐腐蚀以及良好的抗氧化性和抗热震性等。
然而，碳化硅的强共价键特性导致其难以烧结致密，通常需要在2000℃以上的高温进行烧结，这不仅耗能巨大，还会导致晶粒异常长大，降低材料性能。
因此，开发低温、高效的碳化硅陶瓷烧结技术一直是材料领域的研究热点。
超低温热压烧结技术作为一种新型的烧结技术，可以在较低的温度下实现材料的致密化，并且可以有效抑制晶粒长大，提高材料的力学性能，近年来在碳化硅陶瓷的制备中展现出巨大的潜力。
本文综述了碳化硅陶瓷的超低温热压烧结技术的研究现状，介绍了超低温热压烧结的原理、影响因素以及在碳化硅陶瓷制备中的应用，并对该技术的未来发展方向进行了展望。
关键词：碳化硅陶瓷；超低温烧结；热压烧结；致密化；力学性能
碳化硅陶瓷作为一种重要的结构陶瓷材料，具有优异的性能，例如：高强度、高硬度、耐磨损、耐腐蚀以及良好的抗氧化性和抗热震性等，被广泛应用于航空航天、电子信息、机械工程等领域[1-3]。
然而，碳化硅的强共价键特性导致其自扩散系数低，难以烧结致密，通常需要在2000℃以上的高温进行烧结[4]。
高温烧结不仅耗能巨大，还会导致晶粒异常长大，降低材料的力学性能，限制了碳化硅陶瓷的应用[5]。
因此，开发低温、高效的碳化硅陶瓷烧结技术一直是材料领域的研究热点。
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