摘要
SiCN薄膜作为一种新型非晶态陶瓷材料，因其优异的机械强度、耐高温性、抗氧化性和化学稳定性，以及良好的光学和电学性能，在微电子、光电子、航空航天和生物医学等领域展现出巨大的应用潜力。
激光化学气相沉积(LCVD)是一种高效、灵活的薄膜制备技术，可以实现对薄膜成分、结构和性能的精确控制。
本文综述了近年来LCVD制备SiCN薄膜的研究进展，重点讨论了前驱体选择、激光参数、基底温度、反应气氛等工艺参数对薄膜结构的影响，以及对薄膜光学、力学、电学和化学稳定性等性能的影响规律。
最后，展望了LCVD制备SiCN薄膜的未来发展趋势，并探讨了其在各个领域的应用前景。
关键词：SiCN薄膜；激光化学气相沉积；结构控制；性能调控；应用
#1.1SiCN薄膜SiCN薄膜是一种非晶态陶瓷材料，其结构中包含Si-C、Si-N和C-N键，以及少量的Si-H、C-H和N-H键。
SiCN薄膜的结构和性能与其组成和制备工艺密切相关，可以通过调节Si、C、N元素的比例和键合方式来实现性能调控。
#1.2激光化学气相沉积(LCVD)LCVD是一种利用激光束作为能量源，诱导气相反应物发生化学反应，并在基底表面沉积形成薄膜的技術。
LCVD具有以下优点：
高度局部性:激光束可以聚焦到很小的区域，实现对薄膜沉积位置的精确控制。
快速加热和冷却:激光束可以快速加热基底表面，促进化学反应的进行，同时可以快速冷却沉积薄膜，减少不必要的热损伤。
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