数字合金覆盖层对InAs量子点影响文献综述

 2023-04-16 09:05:53

文献综述

文 献 综 述一、 前言量子点（Quantum Dots,QDs）是在把激子在三个空间方向上束缚住的半导体纳米结构，也称超晶格或超原子等，自二十世纪九十年代提出以来，受到许多研究者的关注。

而基于量子点的材料，由于拥有着优秀的光学性质以及电学性质，近年来一直是国内外研究人员研究的热点。

三维的载流子限制和类似 delta 的状态密度是量子点具有重要的性质[1]。

同时，量子点器件具有更长的载流子寿命、更低的暗电流和更少的电子和声子散射[2]-[4]。

通过改变量子点结构尺寸可以便捷地调节量子点的禁带宽度，具有明显的尺寸效应。

基于量子点的这些特性，例如InAs量子点广泛应用于激光器，探测器，中间带太阳能电池[5]等领域。

为了改善量子点器件的相关特性如能带结构，载流子运输等，研究人员采用了许多的手段和研究方向，例如：通过形变改变量子点的光学性质[6]；通过设计模拟封盖材料来减少应力分布改变生长量子点的尺寸大小分布与密度，减少缺陷使得量子点器件性能得到优化和改善[1][7]；通过分子束外延生长技术（Molecular Beam Epitaxy,MBE）生长亚单层量子点异质结构叠层来改善光学性质[8]等等。

在应力分布方面，主要由两种一个是静水应变，另一个为双轴应变，研究者发现它们影响电子的势能和价带分裂；从而显著影响量子点器件的光电特性。

[9]分子束外延(MBE)是新发展起来的外延制膜方法，也是一种特殊的真空镀膜工艺。

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