摘要
半导体异质结作为构建新型电子器件的基础结构，近年来受到广泛关注。
特别是其在磁场下的输运特性，如磁阻效应，展现出巨大应用潜力。
本文首先介绍了半导体异质结和磁阻效应的基本概念，并回顾了不同类型异质结的制备方法。
其次，文章重点综述了近年来半导体异质结磁阻效应的研究进展，包括不同结构异质结的磁阻特性、温度和磁场方向对磁阻效应的影响等。
此外，还介绍了相关的理论模拟工作，以及磁阻效应在磁传感器、自旋电子器件等领域的应用前景。
最后，对半导体异质结磁阻效应的未来发展方向进行了展望。
关键词：半导体异质结；磁阻效应；自旋电子学；磁传感器；二维材料
半导体异质结是由两种或多种不同禁带宽度的半导体材料通过界面连接而成的复合材料结构。
由于不同半导体材料之间能带结构的差异，载流子会在异质界面处发生积累或耗尽，从而产生独特的物理现象和器件效应，例如量子霍尔效应、分数量子霍尔效应和巨磁阻效应等。
磁阻效应是指材料的电阻在磁场作用下发生变化的现象。
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