文献综述（或调研报告）：
电路设计的重点就在于设计出零电压系数、零温度系数基准电压源以及高响应速度电压比较器，因此主要对这两方面进行了文献调研。
第一部分：基准电压源的设计：
1. lsquo;Yun-wu Zhang , Jing Zhu , Wei-feng Sun , Guodong Sun and Sheng-li Lu., Analog Integr Circ Sig Process (2014) 78:391–397.rsquo;,一种具有偏移补偿技术的新型的亚1V带隙基准源
图 3提出的偏移补偿亚1V BGR的完整电路
上图示意性地描绘了所提出的带隙基准源的完整电路。
在这篇论文中，提出了新型带隙基准源，其具有两个反馈环路和交叉耦合结构，旨在最小化Vos（偏移电压）的影响。通过将被放大的Vos的一部分反馈到运算放大器的非反相输入端子来减小偏移的影响，最终使V os的系数最小化，此外，其他反馈路径用于平衡由前面所提反馈环路引入的电流。所提出的电路是密集的并且易于实现。
图的右侧是具有N型输入的OTA电路，其用于确保正输入VA等于OTA的负输入VB。 值得注意的是，场效应管 M17被当做电容器使用。两级伸缩式OTA的模拟表明，直流增益，带宽和相位裕量分别为68.65dB，8.65MHz和60°。
在常规结构带隙基准源中，BJT和N倍大的BJT对于同一个串联电阻的非线性I-V关系有两个明确的交叉点。因此，在二极管中短时间流过的非常小的电流足以将电路引向正确的工作点。然而，在此论文所提出的结构中，使用交叉耦合的BJT和反馈电阻器（R F1和R F2）使得两个I-V关系线性关系更好，因此，交叉点被定义得少得多，因此，所提出的BGR需要比通常采用的更有效的启动电路。
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