文献综述
研究现状与发展趋势
目前已采用RF CMOS制作射频IC 的产品多以对射频规格要求较为宽松的Bluetooth与WLAN射频IC,例如CSR、Oki、Broadcom等Bluetooth芯片厂商皆已推出使用CMOS 制造的Bluetooth传送器;英特尔公司宣布已开发出能够支持当前所有Wi-Fi标准(802.11a、b和g)并符合802.11n预期要求的全CMOS工艺直接转换双频无线收发信机原型,包括了5GHz的PA,并轻松实现了发送器与接收器功能的分离。而Atheros、Envara等WLAN芯片厂商也在最近推出全CMOS制程的多模WLAN(.11b/g/a)射频芯片组。
研究意义与价值
采用RF CMOS制程最大的好处,当然是可以将射频、基频与存储器等组件合而为一的高整合度,并同时降低组件成本。采用SOI工艺制作的RF开关,可将多个FET串联来对付高电压,就象GaAs开关一样。
参考文献
[1]林泽, 陈静, 罗杰馨, 吕凯, LIN Ze, CHEN Jing, LUO Jie-xin, L(U) Kai - 《电子学报》2017年9期
[2]吕凯， 2016 - 中国科学院大学：微电子学与固体电子学
剩余内容已隐藏，您需要先支付 10元 才能查看该篇文章全部内容！立即支付
以上是毕业论文文献综述，课题毕业论文、任务书、外文翻译、程序设计、图纸设计等资料可联系客服协助查找。
