摘要
CdTe/MgCdTe异质结作为一种重要的II-VI族化合物半导体材料，在红外探测、太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。
InSb作为衬底材料，具有晶格常数与CdTe相匹配、热导率高等优点，为高质量CdTe/MgCdTe异质结的外延生长提供了良好的基础。
本文综述了InSb基CdTe/MgCdTe双异质结样品的光致发光和拉曼散射研究进展。
首先介绍了CdTe/MgCdTe异质结和InSb衬底材料的基本性质，以及光致发光和拉曼散射技术的基本原理。
其次，总结了InSb基CdTe/MgCdTe双异质结样品的制备方法、结构特征、光学性质和声子特性等方面的研究进展，并对不同研究结果进行了比较和分析。
最后，对该领域未来的发展趋势进行了展望。
关键词：CdTe/MgCdTe异质结；InSb衬底；光致发光；拉曼散射；红外探测
CdTe/MgCdTe异质结作为一种重要的II-VI族化合物半导体材料，在红外探测、太阳能电池等领域具有广泛的应用前景[1-3]。
CdTe和MgCdTe具有相似的晶格常数和直接带隙结构，并且可以通过调节Mg组分来调控带隙宽度，使其覆盖整个红外波段[4-6]。
InSb作为衬底材料，具有晶格常数与CdTe相匹配、热导率高等优点，为高质量CdTe/MgCdTe异质结的外延生长提供了良好的基础[7-9]。
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